TEM小室特點

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更新時間：2023-11-09

簡要描述：TEM小室其實就是一個變型的同軸線，在此同軸線中部，由一塊扁平的芯板作為內(nèi)導體，外導體為方形，兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測試接收機，另一頭連接匹配負載。

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　　TEM小室其實就是一個變型的同軸線，在此同軸線中部，由一塊扁平的芯板作為內(nèi)導體，外導體為方形，兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測試接收機，另一頭連接匹配負載。TEM小室的外導體頂端有一個方形開口用于安裝測試電路板。其中，集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè)，互連線和外圍電路的一側(cè)向外。這樣做使測到的輻射發(fā)射主要來源于被測的IC芯片。受測芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導線上流動，那些焊接引腳、封裝連線就充當了輻射發(fā)射天線。當測試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時，只有主模TEM模傳輸，此時TEM小室端口的測試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系，因此，可用此電壓值來評定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小。

　　TEM小室的測量手段主要是由測試場地和測試儀器組成。常規(guī)的電磁兼容檢測方法有屏蔽室法、開闊場法、電波暗室法等。

　　屏蔽室：在EMC測試中，屏蔽室能提供環(huán)境電平低而恒定的電磁環(huán)境，它為測量精度的提高，測量的可靠性和重復性的改善帶來了較大的潛力。但是由于被測設備在屏蔽室中產(chǎn)生的干擾信號通過屏蔽室的六個面產(chǎn)生無規(guī)則的漫反射，特別是在輻射發(fā)射測量和輻射敏感度測量中表現(xiàn)更嚴重，導致在屏蔽室內(nèi)形成駐波而產(chǎn)生較大的測量誤差。

　　電波暗室：通常所說的電波暗室在結(jié)構(gòu)上大都由屏蔽室和吸波材料兩部分組成。在工程應用中又分全電波暗室和半電波暗室。全電波暗室可充當標準天線的校準場地，半電波暗室可作為EMC試驗場地。電波暗室的主要性能指標有“靜區(qū)”、“工作頻率范圍”等六個。但建造電波暗室的成本、難度均相當高，因為暗室的工作頻率的下限取決于暗室的寬度和吸收材料的長度、上限取決于暗室的長度和所充許的靜區(qū)的zui小截面積。且由于吸波材料的低頻特性等原因，總的測試誤差有時高達幾十分貝。

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